Resonac desenvolve substrato de SiC de 300 mm para produzir mais chips

A Resonac Holdings afirmou ter se tornado a primeira empresa do Japão a desenvolver um substrato de carbeto de silício (SiC) de 300 mm. O material serve de base para a produção de semicondutores de potência e pode ampliar a quantidade de circuitos integrados fabricados por placa.

Segundo a empresa, o substrato de 300 mm — equivalente a 12 polegadas — pode produzir quatro vezes mais chips do que os substratos de 150 mm. A adoção de placas maiores também poderia melhorar a eficiência energética dos semicondutores de potência e reduzir custos de produção em larga escala.

O desenvolvimento enfrenta desafios técnicos. O crescimento dos cristais ocorre a temperaturas superiores a 2 mil graus Celsius, o que aumenta o risco de defeitos. Além disso, os lingotes de SiC são muito duros e exigem técnicas avançadas de corte e polimento para que os substratos fiquem uniformes e planos.

Embora empresas dos Estados Unidos e da China também desenvolvam substratos de 300 mm, a comercialização em larga escala ainda não começou. A produção exigiria investimentos em equipamentos e uma cadeia capaz de fabricar placas com poucos defeitos de maneira consistente.

Por enquanto, a Resonac pretende ampliar a capacidade de produção de substratos de 200 mm, que vêm substituindo gradualmente os de 150 mm. A empresa avaliará o investimento em placas de 300 mm conforme a demanda dos clientes e as perspectivas de vantagem competitiva.

Fonte: Valor Econômico